免息场内配资 芯联集成获得实用新型专利授权:“半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件”

发布日期:2025-04-02 21:38    点击次数:164

免息场内配资 芯联集成获得实用新型专利授权:“半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件”

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示芯联集成(688469)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件”,专利申请号为CN202421074447.9,授权日为2025年2月7日。

专利摘要:本实用新型提供了一种半导体器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件。该半导体器件包括衬底;位于衬底上的多个第一栅极介质层和多个第一栅极导电层,用于构成多个晶体管器件,第一栅极导电层沿着第一方向延伸,多个第一栅极导电层沿着第二方向依次排布,并使多个第一栅极导电层的端部相互电连接,其中部分相邻的第一栅极导电层的端部相互连接而定义出整流区;位于衬底上的第二栅极介质层和第二栅极导电层,用于构成超势垒整流器,第二栅极介质层和第二栅极导电层依次堆叠在整流区内,第二栅极介质层的厚度小于第一栅极介质层的厚度,第二栅极导电层的长度小于第一栅极导电层的长度。本实用新型有利于缩减电路规模,降低芯片制造成本。

今年以来芯联集成新获得专利授权5个,较去年同期减少了28.57%。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研发方面投入了8.69亿元,同比增33.75%。

数据来源:天眼查APP

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